联华电子（UMC）在2025年10月22日正式发布全新的55纳米BCD（双极-互补金属氧化物半导体）工艺平台，标记着公司于电源治理范畴迈出主要一步。该平台撑持于单一芯片上集成模仿、数字与电力元件，广泛运用在电源治理和混淆旌旗灯号集成电路，旨于晋升挪动装备、消费电子和汽车工业产物的能效体现和靠得住性。

联电的55nm BCD平台包罗三种制程工艺：

- 非外延（Non-EPI）工艺：提供高性价比喻案，合适挪动和消费电子装备的电源效率与模仿机能需求。- 外延（EPI）工艺：切合严酷的汽车行业AEC-Q100 Grade 0尺度，撑持最高150V操作电压，加强汽车电子装备于极度情况下的靠得住性。- 绝缘层上硅（SOI）工艺：切合AEC-Q100 Grade 1尺度，具有优秀的抗噪声特征及超低泄电流，合适高端汽车和工业运用。

联电技能研发副总司理徐世杰指出，55nm BCD平台是公司BCD技能结构的主要里程碑，完美了非凡制程产物组合，晋升了电源治理市场的竞争力。只管55nm BCD技能市场已经有多年运用，联电这次推出的新平台集成为了卓着的组件特征，助力客户开发立异电源解决方案，涵盖智能手机、可穿着装备、汽车、智能家居和智能工场等多范畴。

此外，55nm BCD平台整合了超厚金属层（UTM）、嵌入式闪存（eFLASH）以和忆阻器（RRAM）等进步前辈技能。这些交融不仅晋升了平台机能与体系集成度，还有实现了更小芯单方面积与更低功耗，揭示优秀的抗噪声能力，为电源电路设计带来更高矫捷性和靠得住性。