·表态针对于机能（P）、带宽（B）、容量（D）别离优化的“AIN Family”存储产物系列，周全赋能AI场景·举办“HBF之夜”勾当，拓展SK海力士HBF产物‘AIN B’生态体系，数十位科技巨头代表出席·“将经由过程继承与客户和各种互助伙伴联袂互助，致力成为面向AI存储器市场的焦点引领者”

2025年10月27日，SK海力士公布，在本地时间13日至16日于美国加利福尼亚州圣何塞举办的“2025 OCP全世界峰会”（如下简称“峰会”）上，展示了下一代NAND闪存产物战略。

公司暗示：“跟着人工智能推理市场的快速成长，业界对于可以或许迅速、高效处置惩罚海量数据的NAND闪存产物的需求正年夜幅爬升。为此，公司将成立‘AIN（AI-NAND）Family’产物组合，以专为人工智能时代举行优化的解决方案产物，周全满意客户的多样化需求。”

于峰会第二天进行的高管集会上，SK海力士企业级固态硬盘（eSSD）产物开发担任金千成副社长作为演讲佳宾，先容了AIN Family产物组合。

AIN Family于机能（Performance）、带宽（Bandwidth）、容量（Density）三方面别离优化的NAND闪存解决方案产物，旨于晋升数据处置惩罚速率，并实现存储容量最年夜化。

AIN P（Performance）是一款专为年夜范围AI推理情况中海量数据的输入与输出而打造的高效解决方案。该方案经由过程最小化AI运算与存储之间的瓶颈，显著晋升了处置惩罚速率与能效。为此，公司正于以全新架构从头设计NAND闪存与节制器，并规划在2026年末推出样品。

与之相反，AIN D（Density）则是一款旨于以低功耗、低成本实现海量数据存储的高容量解决方案，尤其合用在AI数据的存储。相较在现有基在QLC*的TB（太字节）级的SSD，AIN D可将存储容量晋升至最高PB（拍字节）级，同时统筹SSD的高速机能与HDD的经济性，成为一种中间层存储产物。

末了，AIN B（Bandwidth）是一款经由过程重叠NAND闪存以扩展带宽的解决方案产物。该产物采用了公司名为‘HBF*’的技能。

拥有全世界顶尖HBM研发与出产实力的SK海力士，为应答AI推理范围扩展、年夜型语言模子（LLM*）成长致使的存储容量不足问题，很早便启动了AIN B的研发事情。其焦点于在将高容量、低成本的NAND闪存与HBM重叠布局相联合。今朝，公司正踊跃评估多种AIN B运用方案，包括将其与HBM协同配置以增补容量等多种矫捷模式。

为扩展AIN B生态体系，SK海力士在14日晚于OCP峰会会场四周的科技中央（The Tech Interactive）与本年8月签订HBF尺度化体谅备忘录（MOU）的美国闪迪公司，配合举办了“HBF之夜（HBF Night）”勾当，约请全世界科技巨头公司的企业代表出席。

该勾当以专题会商会的情势举行，吸引了来自韩国和海外的多位传授介入，并会聚了数十位业界主要架构师*及技能职员。于当日的勾当中，SK海力士提出了一项旨于加快NAND闪存产物立异的业界互助发起。

SK海力士开发总管（CDO, Chief Development Officer）安炫社长暗示：“本次OCP全世界峰会及HBF之夜勾当，充实揭示了SK海力士作为‘全世界面向AI的存储器解决方案供给商（AI Memory Solution Provider）’于以AI为主导的快速厘革海潮中所取患上的成绩与将来愿景。”他同时夸大：“公司将经由过程继承与客户和各种互助伙伴联袂互助，致力成为下一代NAND闪存范畴中面向AI存储器市场的焦点引领者。”

* NAND闪存芯片按照每一个单位（Cell）可以存储的信息量（比特,bit），分为SLC（Single level Cell,1位）、MLC（Multi Level Cell,2位）、TLC（Triple Level Cell,3位）、QLC（Quadruple Level Cell,4位）、PLC（Penta Level Cell,5位）等差别规格。

* HBF（高带宽闪存，High Bandwidth Flash）：与重叠DRAM芯片的HBM（高带宽存储器）不异，经由过程重叠NAND闪存而制成的产物

* LLM（年夜型语言模子，Large Language Model）：经由过程进修海量数据，相识并孕育发生天然语言的人工智能模子

* 架构师（Architect）：半导体、软件体系的设计专家